序号 P/N 产品名称 产品简介 发布时间
1 P/N: GTFLMPD100V1 InGaAs 100 μm Flip MPD InGaAs 100 μm Flip MPD产品特点：该产品光敏面直径为100μm，背照式结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：激光背面光功率监测、光功率计等。 2023-03-14
2 P/N: GTSMPD200V2 InGaAs 200 μm MPD InGaAs 200 μm  MPD产品特点：该产品光敏面为方形，长为200μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：激光背面光功率监测、光功率计等。 2023-03-14
3 P/N: GTMPD250V1 InGaAs 250 μm MPD InGaAs 250 μm  MPD产品特点：该产品光敏面为方形，长为250μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：激光背面光功率监测、光功率计等。 2023-03-14
4 GTMPD300V2 InGaAs ∅300 μm MPD InGaAs ∅300 μm MPD产品特点：该产品光敏面直径为300μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：激光背面光功率监测、光功率计等。 2023-03-14
5 P/N: GTLMPD1000V2 InGaAs ∅1000 μm MPD InGaAs ∅1000 μm MPD产品特点：该产品光敏面为圆形，直径为1000μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：激光背面光功率监测、光功率计等。 2023-03-14
6 P/N:GTAPD16V1 InGaAs Top-illuminated 25G APD Chip(∅16 μm) InGaAs Top-illuminated 25G APD Chip(Φ16 μm)产品特点：该产品光敏面直径为16um，P/N电极位于异侧，GS结构；具有高倍增、低暗电流等特点。应用范围：5G无线通讯、100G ER4、25G PON 2023-03-14
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