序号 P/N 产品名称 产品简介 发布时间
1 P/N: GTPD20GA1_250 InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=250um) (∅20μm) InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=250um) (∅20μm)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：100G CWDM4、100G LR4。 2023-03-14
2 P/N: GTPD20GA1_750 InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=750um) (∅20μm) InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=750um) (∅20μm)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距750um；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：100G CWDM4、100G LR4。 2023-03-14
3 P/N: GTPD50V4 InGaAs 10G PIN PD (∅50μm) InGaAs 10G PIN PD (∅50μm)产品特点：该产品光敏面直径为50μm，P/N电极位于同侧，GS电极结构；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：10G 数据传输，无线通讯 2023-03-14
4 P/N: GTANPD60V1 2.5G Analog PIN PD (∅60 μm) 2.5G Analog PIN PD (∅60 μm)产品特点：该产品光敏面直径为60μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流、低二阶、三阶交调失真等特点。应用范围：CATV模拟光接收、模拟视频。 2023-03-14
5 P/N: GTANPD80V2 2.5G Analog PIN PD (∅80 μm) 2.5G Analog PIN PD (∅80 μm)产品特点：该产品光敏面直径为80μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流、低二阶、三阶交调失真等特点。应用范围：CATV模拟光接收、模拟视频。 2023-03-14
6 P/N: GTPD80V2 2.5G PIN PD (∅80 μm) 2.5G PIN PD (∅80 μm)产品特点：该产品光敏面直径为80μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：低速光模块、FTTR。 2023-03-14
7 P/N: GTPD32AV1_250_1x4 850nm/910nm InGaAs PD Array (100Gbps PAM4) 850nm/910nm InGaAs PD Array (100Gbps PAM4)产品特点：该产品光敏面直径为32um，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度(850nm/910nm/1310nm)，低暗电流等特点。应用范围：400G SR4，800G SR4 2023-03-14
8 P/N: GTEMPD230V1 InGaAs Edge-Coupled PD Chip InGaAs Edge-Coupled PD Chip产品特点：该产品侧面感光区域180x60μm，P/N电极位于正面，具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：侧边耦合，激光光功率监测；光功率计 2023-03-14
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