序号 P/N 产品名称 产品简介 发布时间
1 P/N:GTBAPDA12V1 InGaAs Bottom-illuminated 25G APD Chip(∅12 μm) InGaAs Bottom-illuminated 25G APD Chip(Φ12 μm)产品特点：该产品光敏面直径为12um，背面集成透镜，P/N电极位于异侧，GS结构；具有高倍增、低电容、低温度系数等特点。应用范围：25G PON、5G无线通讯、100G ER4 2023-03-14
2 P/N:GTBAPDA12V2 InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(∅12 μm) InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm)产品特点：该产品光敏面直径为12um，P/N电极位于异侧，GS结构；具有高倍增、低暗电流等特点。应用范围：50G PON、100G ER4 2023-03-14
3 P/N: GTAPD36V1 InGaAs 10G APD (∅36 μm) InGaAs 10G APD (∅36 μm)产品特点：该产品光敏面直径为36μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：10G PON(XGS OLT/10G EPON OLT) Class C+ 2023-03-14
4 P/N: GT10GCSAPD50V2_D InGaAs 10G APD (∅50 μm) InGaAs 10G APD (∅50 μm)产品特点：该产品光敏面圆形，直径为50μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：10G PON ONU 2023-03-14
5 P/N: GTAPD50V1 InGaAs 2.5G APD(∅50 μm) InGaAs 2.5G APD(∅50 μm)产品特点：该产品光敏面圆形，直径为50μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：GPON ONU，2.5G光模块。 2023-03-14
6 P/N: GTBPD12V1 InGaAs 200Gbps PIN PD Chip(∅12um) InGaAs 200Gbps PIN PD Chip(∅12um)产品特点：该产品光敏面直径为12μm，背面集成透镜，P/N电极位于同侧，GSG结构；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：800G、1.6T以太网 2023-03-14
7 P/N: GTBPD12V1_750_1x4 lnGaAs 4x200Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅12um) lnGaAs 4x200Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅12um)产品特点：该产品光敏面直径为12um，背面集成透镜，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x100G阵列芯片间距750um；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：800G、1.6T以太网 2023-03-14
8 P/N: GTPD20V1 InGaAs 56Gbps PIN PD Chip (∅20um) InGaAs 56Gbps PIN PD Chip (∅20um)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4、400G LR4。 2023-03-14
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