序号 P/N 产品名称 产品简介 发布时间
1 P/N: GTPD20AV1_250_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅20um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅20um)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
2 P/N: GTPD20AV1_500_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (∅20um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (∅20um)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距500um；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
3 P/N: GTPD20AV1_750_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅20um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅20um)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距750um；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
4 P/N: GTPD16V1 InGaAs 56G PIN PD (∅16μm) InGaAs 56G PIN PD (∅16μm)产品特点：该产品光敏面直径为16μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
5 GTPD16AV1_250_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅16um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅16um)产品特点：该产品光敏面直径为16um，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
6 P/N: GTPD16AV1_500_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (∅16um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (∅16um)产品特点：该产品光敏面直径为16um，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距500um；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
7 P/N: GTPD16AV1_750_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅16um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅16um)产品特点：该产品光敏面直径为16um，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距750um；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
8 P/N: GTPD20G1 InGaAs 25G PIN PD (∅25μm) InGaAs 25G PIN PD (∅25μm)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：5G无线通讯、100G CWDM4、100G LR4。 2023-03-14
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