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硅光集成系列

InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(∅12 μm)

InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm).jpg


InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm)-1.jpg


产品特点：

该产品光敏面直径为12um，背面集成透镜，P/N电极位于同侧，GS结构；具有高倍增、低电容、低温度系数等特点。

应用范围：

25G/50G PON、5G无线通讯、100G ER4

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