激光雷达芯片系列-浙江光特科技有限公司

激光雷达芯片系列

光通信和气体等传感芯片系列

TO产品系列

硅光集成系列

P/N: GTAPD80V1

InGaAs Φ80 μm APD
产品特点：
该产品光敏面为80um，上下电极结构。具有高响应度、高倍增和低暗电流等特点。
应用范围：
光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。
P/N: GTAPD200V3

InGaAs Φ200 μm APD
产品特点：
该产品光敏面直径为200μm，便于光纤对准，上下电极结构；具有高倍增、低电容等特点。
应用范围：
自由空间通讯、激光雷达、光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。
P/N: GTSQAPD200V1

InGaAs 200 μm APD
产品特点：
该产品为方形200μm APD，上下电极结构，具有高的占空比以及短响应时间。
应用范围：
距离测量、空间光传输、光时域反射计、低级光探测、激光雷达等。
P/N: GTSQAPD500V2

InGaAs 500 μm APD
产品特点：
该产品为方形500 μm APD，上下电极结构，具有高的占空比以及低电容等特点。
应用范围：
距离测量、空间光传输、光时域反射计、低级光探测、激光雷达等。
P/N: GTAPD500V3

InGaAs Φ500 μm APD
产品特点：
该产品光敏面直径为500μm，便于光纤对准，上下电极结构；具有高响应度、高倍增和低暗电流、低电容等特点。
应用范围：
自由空间通讯、激光雷达、光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。
P/N: GTAPD1000V3

InGaAs Φ1000 μm APD
产品特点：
该产品光敏面直径为1000μm，便于光纤对准，上下电极结构；具有高响应度、高倍增和低暗电流以及低电容。高性能大光敏面的APD Chip封装成单管的TO-CAN 可以提高光接收机的灵敏度。
应用范围：
自由空间通讯、激光雷达、光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。
P/N: GTFQAPD230V1

InGaAs Φ230 μm QAPD
产品特点：
响应时间短、暗电流低、低串扰和25μm间隔的四象限QAPD，可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下，可有效抑制器件表面漏电流，提高器件的可靠性。
应用范围：
目标定位、光电跟踪、微弱信号目标精密跟踪探测等。
P/N: GTAAPD200V1

InGaAs 16*16 APD Array
产品特点：
该产品为16X16 APD阵列，同侧电极结构，背面为光入射面。
应用范围：
激光测距仪、激光雷达等。