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激光雷达芯片系列
光通信和气体等传感芯片系列
TO产品系列
硅光集成系列
  • P/N: GTAPD80V1

    InGaAs Φ80 μm APD

    产品特点:

    该产品光敏面为80um,上下电极结构。具有高响应度、高倍增和低暗电流等特点。

    应用范围:

    光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。

  • P/N: GTAPD200V3

    InGaAs Φ200 μm APD

    产品特点:

    该产品光敏面直径为200μm,便于光纤对准,上下电极结构;具有高倍增、低电容等特点。

    应用范围:

    自由空间通讯、激光雷达、光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。

  • P/N: GTSQAPD200V1

    InGaAs 200 μm APD

    产品特点:

    该产品为方形200μm APD,上下电极结构,具有高的占空比以及短响应时间。

    应用范围:

    距离测量、空间光传输、光时域反射计、低级光探测、激光雷达等。

  • P/N: GTSQAPD500V2

    InGaAs 500 μm APD

    产品特点:

    该产品为方形500 μm APD,上下电极结构,具有高的占空比以及低电容等特点。

    应用范围:

    距离测量、空间光传输、光时域反射计、低级光探测、激光雷达等。

  • P/N: GTAPD500V3

    InGaAs Φ500 μm APD

    产品特点:

    该产品光敏面直径为500μm,便于光纤对准,上下电极结构;具有高响应度、高倍增和低暗电流、低电容等特点。

    应用范围:

    自由空间通讯、激光雷达、光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。

  • P/N: GTAPD1000V3

    InGaAs Φ1000 μm APD

    产品特点:

    该产品光敏面直径为1000μm,便于光纤对准,上下电极结构;具有高响应度、高倍增和低暗电流以及低电容。高性能大光敏面的APD Chip封装成单管的TO-CAN 可以提高光接收机的灵敏度。

    应用范围:

    自由空间通讯、激光雷达、光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。

  • P/N: GTFQAPD230V1

    InGaAs Φ230 μm QAPD

    产品特点:

    响应时间短、暗电流低、低串扰和25μm间隔的四象限QAPD,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。

    应用范围:

    目标定位、光电跟踪、微弱信号目标精密跟踪探测等。

  • P/N: GTAAPD200V1

    InGaAs 16*16 APD Array

    产品特点:

    该产品为16X16 APD阵列,同侧电极结构,背面为光入射面。

    应用范围:

    激光测距仪、激光雷达等。

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