光通信和气体等传感芯片系列-浙江光特科技有限公司

激光雷达芯片系列

光通信和气体等传感芯片系列

TO产品系列

硅光集成系列

P/N: GTPD20AV1_500_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (∅20um)
产品特点：
该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距500um；具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
数据中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD20AV1_750_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅20um)
产品特点：
该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距750um；具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
数据中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD16V1

InGaAs 56G PIN PD (∅16μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为16μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
数据中心：200G LR4，400G LR4
GTPD16AV1_250_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅16um)
产品特点：
该产品光敏面直径为16um，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度，低暗电流等特点。
应用范围：
数据中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD16AV1_500_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (∅16um)
产品特点：
该产品光敏面直径为16um，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距500um；具有高响应度，低暗电流等特点。
应用范围：
数据中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD16AV1_750_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅16um)
产品特点：
该产品光敏面直径为16um，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距750um；具有高响应度，低暗电流等特点。
应用范围：
数据中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD20G1

InGaAs 25G PIN PD (∅25μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
5G无线通讯、100G CWDM4、100G LR4。
P/N: GTPD20GA1_250

InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=250um) (∅20μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度，低暗电流等特点。
应用范围：
100G CWDM4、100G LR4。