光通信和气体等传感芯片系列-浙江光特科技有限公司

激光雷达芯片系列

光通信和气体等传感芯片系列

TO产品系列

硅光集成系列

P/N: GTPD20GA1_750

InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=750um) (∅20μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距750um；具有高响应度，低暗电流等特点。
应用范围：
100G CWDM4、100G LR4。
P/N: GTPD50V4

InGaAs 10G PIN PD (∅50μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为50μm，P/N电极位于同侧，GS电极结构；具有高响应度，低暗电流等特点。
应用范围：
10G 数据传输，无线通讯
P/N: GTANPD60V1

2.5G Analog PIN PD (∅60 μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为60μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流、低二阶、三阶交调失真等特点。
应用范围：
CATV模拟光接收、模拟视频。
P/N: GTANPD80V2

2.5G Analog PIN PD (∅80 μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为80μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流、低二阶、三阶交调失真等特点。
应用范围：
CATV模拟光接收、模拟视频。
P/N: GTPD80V2

2.5G PIN PD (∅80 μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为80μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
低速光模块、FTTR。
P/N: GTPD32AV1_250_1x4

850nm/910nm InGaAs PD Array (100Gbps PAM4)
产品特点：
该产品光敏面直径为32um，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度(850nm/910nm/1310nm)，低暗电流等特点。
应用范围：
400G SR4，800G SR4
P/N: GTEMPD230V1

InGaAs Edge-Coupled PD Chip
产品特点：
该产品侧面感光区域180x60μm，P/N电极位于正面，具有高响应度，低暗电流等特点。
应用范围：
侧边耦合，激光光功率监测；光功率计
P/N: GTFLMPD100V1

InGaAs 100 μm Flip MPD
产品特点：
该产品光敏面直径为100μm，背照式结构；具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
激光背面光功率监测、光功率计等。