光通信和气体等传感芯片系列-浙江光特科技有限公司

激光雷达芯片系列

光通信和气体等传感芯片系列

TO产品系列

硅光集成系列

P/N:GTBAPD12V1

InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为12um，背面集成透镜，P/N电极位于同侧，GS结构；具有高倍增、低电容、低温度系数等特点。
应用范围：
25G/50G PON、5G无线通讯、100G ER4
P/N: GTAPD36V1

InGaAs 10G APD (∅36 μm)
产品特点：
该产品光敏面直径为36μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
10G PON(XGS OLT/10G EPON OLT) Class C+
P/N: GT10GCSAPD50V2_D

InGaAs 10G APD (∅50 μm)
产品特点：
该产品光敏面圆形，直径为50μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
10G PON ONU
P/N: GTAPD50V1

InGaAs 2.5G APD(∅50 μm)
产品特点：
该产品光敏面圆形，直径为50μm，上下电极结构；具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
GPON ONU，2.5G光模块。
P/N: GTBPD12V1

InGaAs 200Gbps PIN PD Chip(∅12um)
产品特点：
该产品光敏面直径为12μm，背面集成透镜，P/N电极位于同侧，GSG结构；具有高响应度，低暗电流等特点。
应用范围：
800G、1.6T以太网
P/N: GTBPD12V1_750_1x4

lnGaAs 4x200Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅12um)
产品特点：
该产品光敏面直径为12um，背面集成透镜，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x100G阵列芯片间距750um；具有高响应度，低暗电流等特点。
应用范围：
800G、1.6T以太网
P/N: GTPD20V1

InGaAs 56Gbps PIN PD Chip (∅20um)
产品特点：
该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构；具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
数据中心：200G LR4、400G LR4。
P/N: GTPD20AV1_250_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅20um)
产品特点：
该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度、低暗电流等特点。
应用范围：
数据中心：200G LR4，400G LR4