InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅20um)

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产品特点:

该产品光敏面直径为20μm,P/N电极位于同侧,GSG结构,4x56G阵列芯片间距250um;具有高响应度、低暗电流等特点。

应用范围:

数据中心:200G LR4,400G LR4