InGaAs Top-illuminated 25G APD Chip(∅16 μm)

image.png

产品特点:

该产品光敏面直径为16um,P/N电极位于异侧,GS结构;具有高倍增、低暗电流等特点。

应用范围:

5G无线通讯、100G ER4、25G PON