850nm/910nm InGaAs PD Array (100Gbps PAM4)

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产品特点:

该产品光敏面直径为32um,P/N电极位于同侧,GSG结构,4x56G阵列芯片间距250um;具有高响应度(850nm/910nm/1310nm),低暗电流等特点。

应用范围:

400G SR4,800G SR4