InGaAs ∅230 μm QAPD

InGaAs Φ230 μm QAPD.jpg


产品特点:

响应时间短、暗电流低、低串扰和25μm间隔的四象限QAPD,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。

应用范围:

目标定位、光电跟踪、微弱信号目标精密跟踪探测等。