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InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=750um) (∅20μm)

InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=750um) (∅20μm).jpg


产品特点：

该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距750um；具有高响应度，低暗电流等特点。

应用范围：

100G CWDM4、100G LR4。


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