序号 P/N 产品名称 产品简介 发布时间
1 P/N: GTBPD12V1 InGaAs 200Gbps PIN PD Chip(∅12um) InGaAs 200Gbps PIN PD Chip(∅12um)产品特点：该产品光敏面直径为12μm，背面集成透镜，P/N电极位于同侧，GSG结构；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：800G、1.6T以太网 2023-03-14
2 P/N: GTBPD12V1_750_1x4 lnGaAs 4x200Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅12um) lnGaAs 4x200Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅12um)产品特点：该产品光敏面直径为12um，背面集成透镜，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x100G阵列芯片间距750um；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：800G、1.6T以太网 2023-03-14
3 P/N: GTPD20V1 InGaAs 56Gbps PIN PD Chip (∅20um) InGaAs 56Gbps PIN PD Chip (∅20um)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4、400G LR4。 2023-03-14
4 P/N: GTPD20AV1_250_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅20um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅20um)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
5 P/N: GTPD20AV1_500_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (∅20um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (∅20um)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距500um；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
6 P/N: GTPD20AV1_750_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅20um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (∅20um)产品特点：该产品光敏面直径为20μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距750um；具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
7 P/N: GTPD16V1 InGaAs 56G PIN PD (∅16μm) InGaAs 56G PIN PD (∅16μm)产品特点：该产品光敏面直径为16μm，P/N电极位于同侧，GSG结构，具有高响应度、低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
8 GTPD16AV1_250_1x4 InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅16um) InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (∅16um)产品特点：该产品光敏面直径为16um，P/N电极位于同侧，GSG结构，4x56G阵列芯片间距250um；具有高响应度，低暗电流等特点。应用范围：数据中心：200G LR4，400G LR4 2023-03-14
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