序号 P/N 产品名称 产品简介 发布时间
1 P/N: GTAPD80V1 InGaAs ∅80 μm APD InGaAs Φ80 μm APD产品特点：该产品光敏面为80um，上下电极结构。具有高响应度、高倍增和低暗电流等特点。应用范围：光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。 2023-03-14
2 P/N: GTAPD200V3 InGaAs ∅200 μm APD InGaAs Φ200 μm APD产品特点：该产品光敏面直径为200μm，便于光纤对准，上下电极结构；具有高倍增、低电容等特点。应用范围：自由空间通讯、激光雷达、光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。 2023-03-14
3 P/N: GTSQAPD200V1 InGaAs 200 μm APD InGaAs 200 μm APD产品特点：该产品为方形200μm APD，上下电极结构，具有高的占空比以及短响应时间。应用范围：距离测量、空间光传输、光时域反射计、低级光探测、激光雷达等。 2023-03-14
4 P/N: GTSQAPD500V2 InGaAs 500 μm APD InGaAs 500 μm APD产品特点：该产品为方形500 μm APD，上下电极结构，具有高的占空比以及低电容等特点。应用范围：距离测量、空间光传输、光时域反射计、低级光探测、激光雷达等。 2023-03-14
5 P/N: GTAPD500V3 InGaAs ∅500 μm APD InGaAs Φ500 μm APD产品特点：该产品光敏面直径为500μm，便于光纤对准，上下电极结构；具有高响应度、高倍增和低暗电流、低电容等特点。应用范围：自由空间通讯、激光雷达、光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。 2023-03-14
6 P/N: GTAPD1000V3 InGaAs ∅1000 μm APD InGaAs Φ1000 μm APD产品特点：该产品光敏面直径为1000μm，便于光纤对准，上下电极结构；具有高响应度、高倍增和低暗电流以及低电容。高性能大光敏面的APD Chip封装成单管的TO-CAN 可以提高光接收机的灵敏度。应用范围：自由空间通讯、激光雷达、光时域反射计、激光测距/距离测量、激光告警等。 2023-03-14
7 P/N: GTFQAPD230V1 InGaAs ∅230 μm QAPD InGaAs Φ230 μm QAPD产品特点：响应时间短、暗电流低、低串扰和25μm间隔的四象限QAPD，可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下，可有效抑制器件表面漏电流，提高器件的可靠性。应用范围：目标定位、光电跟踪、微弱信号目标精密跟踪探测等。 2023-03-14
8 P/N: GTAAPD200V1 InGaAs 16*16 APD Array InGaAs 16*16 APD Array产品特点：该产品为16X16 APD阵列，同侧电极结构，背面为光入射面。应用范围：激光测距仪、激光雷达等。 2023-03-14